RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 7, страницы 668–670 (Mi qe3555)

Управление параметрами лазерного излучения

Воспроизводимость импеданса (InGа)РАs-лазерных диодов с мезаструктурой, зарощенной полуизолирующими слоями

А. А. Блискавицкий, Ю. К. Владимиров, С. Х. Такташов

Московский институт радиотехники, электроники и автоматики

Аннотация: Экспериментально исследована воспроизводимость на СВЧ импеданса (InGа)РАs-гетеролазера с зарощенной полуизолирующими слоями мезаструктурой. Разработана СВЧ плата для калибровки измерителей s-параметров четырехполюсников при измерении импеданса лазерных диодов и проведены панорамные измерения активной и реактивной составляющих импеданса десяти лазерных диодов одной структуры, изготовленных из трех различных пластин. Полученные результаты свидетельствуют о достаточно хорошей воспроизводимости импеданса лазерных диодов данного типа в диапазоне 6,05–5,0 ГГц.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 07.60.-j, 06.20.fb

Поступила в редакцию: 04.10.1991


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1992, 22:7, 618–620

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024