RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2005, том 35, номер 7, страницы 591–597 (Mi qe3570)

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Активные среды

Оптическая каскадная накачка уровня 7P3/2 в атомах цезия

С. В. Каргапольцевa, В. Л. Величанскийa, А. В. Яровицкийa, А. В. Тайченачевb, В. И. Юдинb

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследованы внутридоплеровские спектры поглощения резонансных лазерных полей при каскадном возбуждении атомов цезия по двум схемам: 6S1/2→6P3/2→6D5/2 и 6S1/2→6P3/2→8S1/2. Полученные экспериментальные результаты качественно согласуются с теоретическими. При небольшой степени насыщения поглощения ширина резонансов определяется в основном двухфотонными переходами. Сравниваются эффективности каскадного возбуждения уровня 7P3/2 в двух схемах накачки. Обсуждается возможность создания газового лазера, работающего на переходе 7P3/2→6S1/2 (λ = 455 нм) с оптическим опустошением нижнего рабочего уровня дополнительным лазером.

PACS: 42.62.Fi, 32.80.Bx, 32.80.Rm

Поступила в редакцию: 31.01.2005
Исправленный вариант: 13.05.2005


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2005, 35:7, 591–597

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024