RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 2, страницы 142–146 (Mi qe36)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Использование лазерной плазмы для измерения дефекта резонанса линий Lyα1,2 Mg XII и 2s–3p Ge XXIII

Б. А. Брюнеткинa, В. М. Дякинa, Дж. Нильсенb, И. Ю. Скобелевa, С. А. Пикузc, А. Я. Фаеновa, С. Я. Хахалинa

a Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений, п. Менделеево, Московская обл.
b Ливерморская национальная лаборатория им. Э. О. Лоренса, Ливермор, Калифорния, США
c Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва

Аннотация: Прецизионно измерены длины волн сателлитов резонансной линии H-подобного иона MgXII ряда переходов в Ne-подобном Ge XXIII и их сателлитов в плазме, создаваемой излучением лазера на Ne-стекле. Для измерений использован высокоразрешающий светосильный спектрограф с кристаллом слюды, изогнутым по сфере радиусом R = 100 мм. Измерено абсолютное значение длины волны перехода 2s22p6 1S0 – 2s2p63p 3P1 иона Ge XXIII λ = 842.08 + 0.09 пм. Показано, что коротковолновая компонента лаймановского дублета Mg XII (λ = 841.92 пм) может быть использована для фотонакачки коротковолнового лазера на переходах иона Ge XXIII.

PACS: 42.62.Fi, 52.50.Jm

Поступила в редакцию: 12.07.1993


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1994, 24:2, 133–137

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024