Е. И. Давыдова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, М. Б. Успенский, С. Е. Хлопотин, В. А. Шишкин, “Излучательные характеристики и диаграмма направленности квантоворазмерного инжекционного лазера в спектральной области 780 нм”, Квантовая электроника, 19:10 (1992), 1024

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Волоконная и интегральная оптика

Излучательные характеристики и диаграмма направленности квантоворазмерного инжекционного лазера в спектральной области 780 нм

Е. И. Давыдова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, М. Б. Успенский, С. Е. Хлопотин, В. А. Шишкин

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва

Аннотация: Рассчитана оптическая модель полосковой лазерной гетероструктуры GaAlAs/GaAs с направляющим волноводным утолщением в эмиттерном p-слое, которое обеспечивает боковое оптическое ограничение. Определены характеристики направленности излучения в зависимости от параметров структуры. Квантово-размерный активный слой включен в трехслойный волновод (структуру с раздельным ограничением). На опыте лазерные структуры изготовлялись методом МОС-гидридной газофазной эпитаксии с применением затем ионно-химического травления и вакуумного заращивания мезаполосок селенидом цинка. Получены низкопороговые лазеры с мощностью непрерывного излучения в одночастотном режиме до 40 мВт и в пространственно-одномодовом – до 80 мВт на длине волны 780 нм. Для повышения оптической прочности торцов на них наращивались "окна" из ZnSe.

УДК: 373.621.8

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 81.15.Gh, 42.70.Hj, 42.60.By

Поступила в редакцию: 17.03.1992