RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 11, страницы 1047–1054 (Mi qe3645)

Эта публикация цитируется в 16 статьях

Лазеры

Исследование XeF-лазера с оптической накачкой излучением поверхностных разрядов

В. С. Зуев, Г. Н. Кашников, С. Б. Мамаев

Научно-производственное объединение "Астрофизика", Москва

Аннотация: Изучены пространственные, временные и спектральные характеристики XeF-лазера видимого (0,48 мкм) и УФ (0,35 мкм) диапазонов спектра. Экспериментально определены зависимости энергии генерации от давления паров исходного XeF2 для различных конфигураций источника оптической накачки и добротностей резонаторов. Достигнута энергия генерации 117 Дж на C–A- и 174 Дж на B–X-переходах молекулы XeF с внутренними КПД 2,6 и 3,6 % соответственно. Изучена направленность излучения XeF(C–A)-лазера при образовании волн фотолиза различных форм в активных средах. Осуществлена перестройка длины волны генерации в видимом диапазоне спектра. Исследованы излучательные характеристики открытых сильноточных секционированных поверхностных разрядов при различных скоростях ввода энергии в плазму в рабочих средах ХеF-лазеров.

УДК: 621.373.826.038.823:621.3.038.84

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 52.80.-s, 42.60.Gd, 33.80.Be

Поступила в редакцию: 19.05.1992


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1992, 22:11, 973–979

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024