RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 4, страницы 397–402 (Mi qe367)

Активные среды

Исследование импульсного фотолиза йодидов по усилению излучения с $\lambda$ = 1.315 мкм в йодных лазерах

О. Ю. Носач, Е. П. Орлов, И. М. Сизова

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва

Аннотация: Разработан способ экспериментального исследования импульсного фотолиза йодидов, основанный на измерении зависимости от времени коэффициента усиления лазерного излучения ($\lambda$ = 1.315 мкм, переход $5^2 P_{1/2} \to 5^2 P_{3/2}$ атомарного йода). Этот способ позволяет по результатам экспериментов вычислять зависимости вероятности фотолиза от времени с учетом вторичных химических реакций, зависимостей сечения перехода от температуры и состава среды, а также зависимостей теплоемкости среды от температуры. В предположении обратной корневой зависимости сечения перехода от температуры ($\sigma \propto 1 /\sqrt T$,) исследован фотолиз перфторалкилйодидов н-C$_3$F$_7$I и изо-C$_3$F$_7$I и установлена корреляция вероятностей фотолиза с характеристиками полос поглощения УФ излучения этими молекулами.

PACS: 82.50.Fv, 42.55.Ks


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1995, 25:4, 377–382

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024