А. И. Загуменный, В. Г. Остроумов, И. А. Щербаков, Т. Йенсен, Я. П. Мейен, Г. Хубер, “Кристаллы GdVO4:Nd – новый материал для лазеров с диодной накачкой”, Квантовая электроника, 19:12 (1992), 1149

Эта публикация цитируется в 230 статьях

Письма в редакцию

Кристаллы GdVO₄:Nd – новый материал для лазеров с диодной накачкой

А. И. Загуменный^a, В. Г. Остроумов^a, И. А. Щербаков^a, Т. Йенсен^b, Я. П. Мейен^b, Г. Хубер^b

^a Институт общей физики РАН, Москва
^b Институт лазерной физики Гамбургского университета

Аннотация: Сообщается о получении методом Чохральского монокристаллов гадолиниевого ванадата, легированного ионами неодима. Измерены спектры поглощения и люминесценции неодима. Поглощение в области 0,8 мкм – более 70 см^–1, время жизни ионов неодима 90 мкс. Получена генерация на переходах ⁴F_3/2 → ⁴I_13/2, ⁴I_11/2 причем дифференциальный КПД генерации в области 1,06 мкс составил 54 %.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.By, 42.55.Xi, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 18.08.1992