С. В. Давыдов, И. И. Кулак, А. И. Митьковец, А. А. Ставров, А. П. Шкадаревич, Г. П. Яблонский, “Генерация на кристаллах ИАГ:Nd3+ и KGdW:Nd3+ при накачке полупроводниковыми лазерами”, Квантовая электроника, 18:1 (1991), 20

Лазеры

Генерация на кристаллах ИАГ:Nd³⁺ и KGdW:Nd³⁺ при накачке полупроводниковыми лазерами

С. В. Давыдов, И. И. Кулак, А. И. Митьковец, А. А. Ставров, А. П. Шкадаревич, Г. П. Яблонский

Институт физики им. Б. И. Степанова АН БССР, Минск

Аннотация: Впервые получена генерация в кристаллах с узкими полосами поглощения при возбуждении излучением полупроводниковых лазеров на основе CdS_xSe_1–x с электронной накачкой. Для ИАГ:Nd³⁺ и KGdW:Nd³⁺ пороги генерации при накачке излучением с λ = 586 нм равнялись соответственно ~2 и ~1 мДж. Эффективность преобразования света накачки в излучение лазера на KGdW:Nd³⁺ составила 0,27 %.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.By, 42.60.Lh, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 25.05.1990