RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1991, том 18, номер 1, страницы 29–33 (Mi qe3701)

Активные среды

Оптогальванический эффект в СО-лазере

Г. М. Григорьян, Ю. З. Ионих

Научно-исследовательский институт физики при Ленинградском государственном университете

Аннотация: Экспериментально исследовано влияние генерации на населенности колебательных уровней СО, температуру газа и электрические характеристики продольного разряда проточного СО-лазера с криогенным охлаждением. Показано, что наблюдаемые изменения электрических параметров разряда можно объяснить, если предположить, что основным ионизационным процессом в разряде в отсутствие генерации является реакция CO(ν > 14) + CO* → (CO)2+ + e (СО* – молекула СО в высоковозбужденном метастабильном состоянии I1∑). При генерации этот процесс выключается, что вызывает рост E /N и напряжения на разряде, а также уменьшение разрядного тока.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.60.By, 42.60.Da, 42.79.Bh

Поступила в редакцию: 23.03.1990


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1991, 21:1, 24–27

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024