RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1991, том 18, номер 2, страницы 175–176 (Mi qe3738)

Лазеры

Увеличение порогового тока InGaAsP-гетеролазеров в процессе старения при повышенной температуре

Р. И. Андреева, А. А. Кочетков


Аннотация: Приведены результаты ресурсных исследований InGaAsP-гетеролазеров (λ = 1,3 мкм) в течение 3·104 ч при Т = 65 °С. Получены выражения, описывающие увеличение порогового тока от времени испытаний. Показано, что относительное изменение порогового тока можно использовать для отбраковки гетеролазеров и для выбора образцов с продолжительной наработкой.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 08.05.1990


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1991, 21:2, 155–156

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024