Аннотация:
Создан лазер на кристалле ГГГ:Ег с ламповой накачкой, генерирующий излучение одновременно на двух длинах
волн: 2794 и 2822 нм. В режиме многомодовой свободной генерации получена выходная энергия лазера 400 мДж
при энергии импульса накачки 100 Дж. Средняя мощность свободной генерации составила 2,2 Вт при частоте
следования импульсов 20 Гц и энергии импульсов накачки 66 Дж. Показано, что использование кристаллов
ГГГ:Ег, соактивированных ионами Се3+, позволяет расширить спектр накачки в УФ область и снизить порог
генерации.