Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам АН СССР, г. Шатура Моск. обл.
Аннотация:
При возбуждении электронным пучком получена одновременная генерация на 3d–4p-переходах Ar (λ = 1,79 мкм) с полным КПД ~2 % и на 2+-системе N2 (λ = 358 нм) с мгновенным КПД до 4 %.