RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1991, том 18, номер 3, страницы 298–300 (Mi qe3777)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Твердотельные и полупроводниковые лазеры

Генерационные свойства кристалла гадолиний-галлиевого граната с неодимом на переходе 4F3/24I13/2 (λ = 1,33 мкм)

М. Е. Дорошенко, В. В. Осико, В. Б. Сигачев, М. И. Тимошечкин

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Сообщается о создании лазера на кристалле гадолиний-галлиевого граната с неодимом (ГГГ: Nd), работающего на переходе 4F3/24I13/2 (длина волны генерации λ = 1330 нм). Для лазера на кристалле ГГГ: Nd диаметром 8 и длиной 80 мм в режиме свободной многомодовой генерации при использовании выходного зеркала с коэффициентом отражения R = 81 % порог генерации составил 5 Дж, дифференциальный КПД 1,54 %, при энергии импульса накачки Eн = 34,2 Дж получен импульс излучения с энергией Eг = 417 мДж. При частоте следования импульсов накачки 50 Гц с энергией 64 Дж средняя мощность свободной генерации составляла ~40 Вт. На основе экспериментальных зависимостей Eг (Eн, R) оценены коэффициент потерь κ, эффективное сечение генерационного перехода σ и предельный дифференциальный КПД η;0. Получены следующие значения перечисленных параметров: κ ≈ 0,09, σ = (1,1 ± 0,2) X 10–19 см2 и η0 = 2,2%.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.70.Hj, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 19.10.1990


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1991, 21:3, 266–268

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024