Определение порога оптического разрушения Rb:КТР-волноводов

В канальном Rb:KTP-волноводе исследована зависимость выходной мощности P_вых от мощности света P_вх, падающей на его торец (λ = 0,514 мкм). Показано, что эта зависимость подчиняется линейному закону в диапазоне P_вых от 0 до 450 мВт. При достижении плотности мощности на входе 10 МВт/см² происходит оптическое повреждение кристалла с образованием кратера на его поверхности.