Лазерный диод, излучающий на длине волны 663 нм в непрерывном режиме при комнатной температуре

Работающий в непрерывном режиме генерации при комнатной температуре лазерный диод изготавливался на основе двойной гетероструктуры AlGalnP/GalnP/AlGalnP, выращенной МОС-гидридной эпитаксией. Длина волны излучения находилась в видимом диапазоне спектра (663 нм). Пороговый ток составлял менее 90 мА (пороговая плотность тока менее 5 кА/см²). Лазерный диод имел характеристическую температуру, равную 40 К.