RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1991, том 18, номер 8, страницы 926–928 (Mi qe3966)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Лазеры

Накачка рекомбинационного лазера на ионе стронция в схеме со срезающим тиратроном

П. А. Бохан, Д. Э. Закревский

Институт теплофизики СО АН СССР, Новосибирск

Аннотация: Исследован рекомбинационный лазер на парах ионизированного стронция. Возбуждение осуществлялось генератором, построенным по схеме прямого разряда емкости через тиратрон и газоразрядную трубку. Для оптимизации условий возбуждения использовался срезающий тиратрон, позволявший полностью избавиться от отраженных импульсов тока и напряжения. Для рекомбинационных лазеров такие источники накачки удобны в работе и некритичны к параметрам активной среды. Для трубок Ø15 и 27 мм получены средние мощности генерации ~2 Вт при КПД 0,1 %.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 01.03.1991


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1991, 21:8, 838–839

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024