Аннотация:
Полупроводниковые диодные лазеры на основе двойной гетероструктуры с внешним резонатором в режиме активной или пассивной синхронизации мод могут генерировать непрерывную последовательность пикосекундных импульсов с пиковой мощностью около 1 Вт. Эти лазеры, которые также можно перестраивать по частоте, представляют собой удобный и дешевый источник когерентных ультракоротких импульсов излучения для «нестационарной», временной спектроскопии полупроводниковых и молекулярных материалов. С развитием методов изготовления лазерных диодов спектральный диапазон может быть расширен, перекрывая область от видимой до ближней ИК (вплоть до 4 мкм). Также может широко использоваться, в особенности для изучения динамики носителей в полупроводниках, внутрирезонаторная временная спектроскопия, имеющая повышенную чувствительность. Среди других применений следует назвать исследование распространения когерентных импульсов, двухфотонную спектроскопию, а также разработку лазерных генераторов, обладающих бистабильностью, фазовым сопряжением и другими нелинейными свойствами.