RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 2, страницы 308–318 (Mi qe4041)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Механизм импульсной генерации электроразрядных ИК лазеров высокого давления на смесях He–Ar, Kr, Xe

А. Р. Сорокин

Институт теплофизики СО АН СССР, Новосибирск

Аннотация: Исследована амплитудно-временная структура лазерного и спонтанного излучений при импульсном электрическом разряде в смесях He–Ar, Kr, Xe и проанализированы процессы заселения рабочих уровней. Учитывалось возбуждение электронами (прямое и ступенчатое) и заселение в результате релаксационных процессов (столкновения 2-го рода с электронами, радиационные каскады, процессы рекомбинации, столкновения с атомами рабочего и буферного газов, передача возбуждения от молекул гелия). Получена качественная картина особенностей процессов заселения атомных уровней Ar, Kr, Xe в зависимости от состава и давления смесей. Установлено, что определяющим механизмом при высоких давлениях является прямое возбуждение электронным ударом из основного состояния.

УДК: 621.373

PACS: 42.55.Fn, 51.70.+f, 52.80.Dy

Поступила в редакцию: 16.02.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:2, 165–172

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024