RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 6, страницы 555–558 (Mi qe405)

Активные среды

Интенсивность насыщения и спектр выходного излучения XeCl-лазера

В. Б. Кауль, С. Э. Кунц, С. В. Мельченко

Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск

Аннотация: Показано, что на работу XeCl-лазера существенное влияние оказывает динамика нижнего Х-состояния рабочих молекул. В связи с этим интенсивность насыщения лазерного перехода может быть разной в различных экспериментальных условиях. Спектр выходного излучения при работе с неселективным резонатором также может значительно трансформироваться; при этом увеличивается относительная интенсивность излучения на "слабых" переходах молекул XeCl.

PACS: 42.55.Gp, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 14.10.1994


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1995, 25:6, 529–532

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024