RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 2, страницы 437–438 (Mi qe4115)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Краткие сообщения

Лазерная генерация в ксеноне при накачке импульсными пучками убегающих электронов

Г. В. Колбычев, Е. А. Самышкин

Институт оптики атмосферы СО АН СССР, Томск

Аннотация: Сообщается об использовании импульсных пучков убегающих электронов для накачки газовых лазеров. Электронные пучки генерировались внутри лазерной камеры. Средняя энергия электронов 1–4 кэВ. Получена лазерная генерация на переходе 3d2–2p7 ксенона. Обсуждается перспективность использования пучков убегающих электронов в других типах газовых лазеров.

УДК: 535.33:621.373.8

PACS: 42.55.Fn, 34.80.Dp, 51.70.+f

Поступила в редакцию: 08.04.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:2, 249–250

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024