RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 3, страницы 469–470 (Mi qe4143)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Письма в редакцию

Качество кристаллов ADP, полученных быстрым выращиванием на точечной затравке

А. А. Амандосов, З. С. Пашина, Л. Н. Рашкович

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Сообщается о получении из затравки размером ~5×5×5 мм кристаллов ADP размером ~10×10×10 см при кристаллизации из раствора со скоростью, в 10–20 раз большей обычной. Аномальная двуосность в кристаллах не превышала ~20', что соответствует качеству хороших кристаллов, полученных медленным выращиванием. Выращивание со скоростью ~1 см/сутки делает реальным получение нелинейных кристаллов большого сечения для целей лазерного термоядерного синтеза.

УДК: 548.5

PACS: 42.70.Fh, 81.10.Dn

Поступила в редакцию: 01.10.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:3, 271–272

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024