Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Исследованы процессы заселения и релаксации верхнего лазерного уровня неодима 4F3/2 в монокристалле полупроводника γ-La2S3 и найдены микропараметры переноса энергии. Обнаружен эффект безызлучательного переноса энергии от непрерывного набора ловушек на верхний лазерный уровень неодима 4F3/2 при возбуждении образца излучением с λ = 0,53 мкм и кросс-релаксация из возбужденных состояний, расположенных выше верхнего лазерного уровня 4F3/2.