RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 3, страницы 569–573 (Mi qe4156)

Деградация электронного возбуждения состояния 4F3/2 ионов Nd3+ в монокристалле γ-La2S3

А. А. Камарзин, А. А. Мамедов, В. А. Смирнов, В. В. Соколов, И. А. Щербаков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследованы процессы заселения и релаксации верхнего лазерного уровня неодима 4F3/2 в монокристалле полупроводника γ-La2S3 и найдены микропараметры переноса энергии. Обнаружен эффект безызлучательного переноса энергии от непрерывного набора ловушек на верхний лазерный уровень неодима 4F3/2 при возбуждении образца излучением с λ = 0,53 мкм и кросс-релаксация из возбужденных состояний, расположенных выше верхнего лазерного уровня 4F3/2.

УДК: 621.373.826.038.825

PACS: 78.50.Ge, 78.55.Hx

Поступила в редакцию: 18.03.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:3, 336–339

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024