RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 3, страницы 616–618 (Mi qe4165)

Краткие сообщения

Особенности K–Rb-лампы как источника накачки лазера на АИГ : Nd3+

E. H. Гайдуков, П. И. Геращенко, П. Г. Конвисар, В. А. Кузнецов, Г. С. Леонов, С. Р. Рустамов


Аннотация: Экспериментально исследованы некоторые особенности работы отечественной K–Rb-лампы накачки лазеров на АИГ : Nd3+. Показано, что K–Rb-лампа эффективна в лазерах на АИГ : Nd3+ при малых уровнях накачки.

УДК: 621.373.8.84

PACS: 42.60.-v, 42.72.+h

Поступила в редакцию: 14.04.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:3, 368–369

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024