RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Квантовая электроника
// Архив
Квантовая электроника,
1983
, том 10,
номер 3,
страницы
616–618
(Mi qe4165)
Краткие сообщения
Особенности K–Rb-лампы как источника накачки лазера на АИГ : Nd
3+
E. H. Гайдуков
,
П. И. Геращенко
,
П. Г. Конвисар
,
В. А. Кузнецов
,
Г. С. Леонов
,
С. Р. Рустамов
Аннотация:
Экспериментально исследованы некоторые особенности работы отечественной K–Rb-лампы накачки лазеров на АИГ : Nd
3+
. Показано, что K–Rb-лампа эффективна в лазерах на АИГ : Nd
3+
при малых уровнях накачки.
УДК:
621.373.8.84
PACS:
42.60.-v
, 42.72.+h
Поступила в редакцию:
14.04.1982
Полный текст:
PDF файл (451 kB)
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983,
13
:3,
368–369
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2024