RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 3, страницы 619–621 (Mi qe4166)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Краткие сообщения

Импульсный АИГ : Nd3+-лазер с пассивным модулятором добротности на кристалле LiF с F2-центрами

Т. Т. Басиев, И. Я. Ицхоки, Б. Г. Лысой, С. Б. Миров, О. Б. Чередниченко


Аннотация: Исследованы энергетические характеристики лазера на АИГ : Nd3+ с импульсно-периодической накачкой и пассивной модуляцией добротности резонатора кристаллическим затвором на основе LiF с F2-центрами окраски. Произведено сравнение энергии моноимпульса лазера с пассивным и электрооптическим затворами при частоте повторения импульсов накачки до 50 Гц. Показано, что использование пассивного затвора на кристалле LiF : F2 в оптимальном режиме генерации не снижает энергии моноимпульсов по сравнению с электрооптической модуляцией добротности.

УДК: 621.373.8

PACS: 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 14.04.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:3, 370–372

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024