Аннотация:
Исследованы инжекционные лазеры на основе двойной гетероструктуры AlxGa1-xAs–GaAs с неоднородной накачкой. Продемонстрирована возможность и бистабильного режима работы таких лазеров с временами переключения менее 2·10–10 с. Исследован режим регулярных пульсаций излучения, обусловленных неоднородной накачкой. Показана возможность перестройки частоты пульсаций в интервале частот до 2 ГГц при длительности пичков менее 2,5·10–10 с. Показано, что частота пульсаций f ~(I – In)1/2, где I и In –
ток через диод и пороговый ток соответственно.