RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 4, страницы 729–735 (Mi qe4191)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Исследование свечения структур металл – барьер – металл

Э. М. Беленов, И. Н. Компанец, А. А. Крохоткин, А. В. Лежнев, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, С. И. Сагитов, Е. М. Соболева, А. Г. Соболев, А. В. Усков, В. Г. Цуканов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследовано видимое излучение планарными МБМ-структурами вследствие распада плазменных колебаний. Предложен метод повышения интенсивности свечения путем использования в качестве диэлектрика сложного слоя, состоящего из последовательно напыленных слоев различных окислов. Экспериментально получено увеличение эффективности излучения такими структурами в два раза по сравнению со структурами с простым барьером. Время нарастания оптического отклика МБМ-структуры на одиночный короткий импульс составило не менее 4нс. Отмечен эффект возрастания интенсивности излучения под действием СВЧ поля с частотой до 1,2 ГГц. На основе этого свойства может быть создан быстродействующий визуализатор СВЧ поля с порогом чувствительности ~1 мВт/см2.

УДК: 621.373.826

PACS: 73.40.Rw

Поступила в редакцию: 09.04.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:4, 451–455

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024