RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 4, страницы 865–867 (Mi qe4215)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Вынужденное рассеяние излучения на волнах населенности возбужденного состояния

А. П. Богатов, П. Г. Елисеев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Дана теория вынужденного рассеяния света вследствие взаимодействия сильной электромагнитной волны с динамической решеткой (волной) населенности N возбужденного состояния, если N влияет на показатель преломления среды. Среда моделируется как совокупность двухуровневых систем и зависимость диэлектрической проницаемости ε от N принята линеаризованной. Если δε /δN < 0, усиление, обусловленное вынужденным рассеянием, ожидается в антистоксовой области при освещении невозбужденной среды. В лазерных условиях усиление должно быть в стоксовой области от сильного поля. Рассмотренный механизм может быть причиной эффектов взаимосвязи мод в лазерах.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.65.Cq, 42.80.Fn

Поступила в редакцию: 19.11.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:4, 540–541

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024