О. В. Богданкевич, Л. А. Журавлев, А. Д. Коновалов, П. И. Кузнецов, Г. А. Меерович, В. Б. Новиков, Ю. В. Петрушенко, В. Н. Уласюк, В. В. Шемет, “Лазеры с электронным возбуждением на гетероэпитаксиальном селениде цинка, полученном из элементоорганических соединений”, Квантовая электроника, 10:5 (1983), 1007

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Краткие сообщения

Лазеры с электронным возбуждением на гетероэпитаксиальном селениде цинка, полученном из элементоорганических соединений

О. В. Богданкевич, Л. А. Журавлев, А. Д. Коновалов, П. И. Кузнецов, Г. А. Меерович, В. Б. Новиков, Ю. В. Петрушенко, В. Н. Уласюк, В. В. Шемет

Всесоюзный научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, Москва

Аннотация: Приведены исследования возможности использования гетероэпитаксиальных пленок ZnSe, выращенных на подложках из GaAs методом газофазного химического осаждения из элементоорганических соединений в качестве активной среды полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком. Исследованы характеристики активных элементов при поперечной и продольной геометрии возбуждения, рассмотрены пути их улучшения.

УДК: 621.375.826+621.315.59

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 12.04.1982
Исправленный вариант: 25.06.1982