RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 5, страницы 1067–1069 (Mi qe4267)

Краткие сообщения

Механизм влияния γ-излучения на энергетические характеристики кристаллов YAG:Nd3+

H. А. Малов, А. И. Рябов, С. П. Насельский, Г. Н. Торопкин, Е. Швом, И. Ф. Усольцев


Аннотация: Исследован механизм снижения энергетических характеристик кристаллов YAG:Nd3+ при воздействии γ-излучения. Показано, что основной причиной снижения выходной энергии генерации при γ-облучении является увеличение короткоживущих потерь на длине волны 1,06 мкм, возникающих в кристалле под действием излучения лампы накачки.

УДК: 535.34:621.378

PACS: 42.55.Rz, 61.80.Ed

Поступила в редакцию: 13.07.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:5, 683–684

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024