RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 5, страницы 1069–1072 (Mi qe4268)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Определение степени фотодиссоциации F$_2$ с помощью измерения температуры методом внутрирезонаторной лазерной спектроскопии

В. А. Золотарев, М. П. Фролов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Лазер на F$_2^+$-центрах окраски в кристалле LiF применен в методе внутрирезонаторной лазерной спектроскопии для измерения роста температуры молекулярного фтора, обусловленного поглощенной при его импульсном фотолизе энергией. Измерения основаны на зависимости от температуры коэффициентов поглощения отдельных линий колебательно-вращательных переходов молекул HF, содержавшихся во фторе в виде незначительной примеси. Определена степень диссоциации молекулярного фтора.

УДК: 621.378.33

PACS: 82.50.Et, 42.60.-v

Поступила в редакцию: 12.07.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:5, 685–686

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024