С. А. Ахманов, И. Б. Хайбуллин, М. Ф. Галяутдинов, Н. И. Коротеев, Г. А. Пайтян, Е. И. Штырков, И. Л. Шумай, “Генерация второй гармоники при лазерном отжиге поверхности арсенида галлия”, Квантовая электроника, 10:6 (1983), 1077

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Письма в редакцию

Генерация второй гармоники при лазерном отжиге поверхности арсенида галлия

С. А. Ахманов^ab, И. Б. Хайбуллин^ab, М. Ф. Галяутдинов^ab, Н. И. Коротеев^ab, Г. А. Пайтян^ab, Е. И. Штырков^ab, И. Л. Шумай^ab

^a Казанский физико-технический институт Казанского филиала АН СССР
^b Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Процесс рекристаллизации поверхности GaAs при импульсном лазерном отжиге исследуется с помощью генерации второй гармоники излучения лазера с синхронизацией мод. Время рекристаллизации не превышает 30–40 нс. Результаты описываются расплавной теорией лазерного отжига.

УДК: 621.373.826

PACS: 42.65.Cq, 81.40.Ef, 42.60.Kg

Поступила в редакцию: 08.02.1983