RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 6, страницы 1113–1121 (Mi qe4275)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Гигантское комбинационное рассеяние и генерация второй гармоники на поверхности

О. А. Акципетров, В. Я. Бартенев, Е. Д. Мишина, А. В. Петухов

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Исследуется генерация гигантской второй гармоники на поверхности (ГВГП) и гигантское комбинационное рассеяние света на поверхности (ГКРП). Интенсивность ГВГП зависит от состава электролита, природы растворителя, наличия добавок органических соединений. Электрическое поле двойного слоя может менять нелинейно-оптические восприимчивости составных частей двойного слоя. ГВГП может дать удобный метод дистанционного контроля поверхности металлов и полупроводников (например, измерение потенциала нулевого заряда) в технологических процессах. Коэффициент усиления ГВГП (3–5)·104 по порядку величины совпадает с коэффициентом усиления ГКРП (5–10)·104, обратимо зависящим от φ, что говорит об общем механизме этих явлений – росте локального поля вблизи шероховатой поверхности металла.

УДК: 621.378.4

PACS: 42.65.Cq, 78.65.-s

Поступила в редакцию: 20.08.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:6, 712–717

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024