Изучение быстропротекающих процессов в полупроводниках в пикосекундной области

Разработана установка на основе ИАГ-лазера для изучения быстропротекающих процессов в полупроводниках с временным разрешением в пикосекундной области. Экспериментальное измерение временной зависимости отражения позволило сделать выводы о механизмах изменения концентрации носителей в кремнии и арсениде галлия. В частности, изучались процессы диффузии и линейной рекомбинации в монокристаллическом, поликристаллическом и аморфном кремнии и арсениде галлия.