RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 6, страницы 1217–1222 (Mi qe4315)

Саморазогрев кристалла АИГ:Nd3+ в осветителе непрерывного лазера

Л. Н. Капцов, Э. Панамено

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Проведен расчет температурного режима активного элемента (АЭ) в осветителе непрерывного лазера на АИГ : Nd3+. Показано, что в зависимости от коэффициента поглощения δ АЭ на длине волны 1,06 мкм при срыве стимулированного излучения возможно как повышение (при малых δ), так и понижение температуры АЭ. Расчет, сделанный с учетом эффекта саморазогрева АЭ стимулированным излучением и поглощения части спонтанного излучения, показывает, что тепловой баланс АЭ в осветителе лазера обеспечивается при значении квантового выхода люминесценции с уровня 4F3/2, близком к единице. Расчет подтверждается экспериментом.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 25.06.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:6, 781–784

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024