RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 6, страницы 1286–1288 (Mi qe4332)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Инверсная населенность уровней Н-подобного иона фтора в рекомбинирующей лазерной плазме

В. А. Бойко, Б. А. Брюнеткин, Ф. В. Бункин, В. И. Держиев, В. И. Корнейчук, С. А. Пикуз, И. Ю. Скобелев, К. А. Шилов, А. Я. Фаенов, А. И. Федосимов, С. И. Яковленко

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Зарегистрирована инверсная населенность уровней n = 5,4,3 Н-подобного иона FIX в рекомбинирующей лазерной плазме. Расчетные коэффициенты усиления составляют 10–2–10–1 см–1 и согласуются с оценками на основе измерений абсолютных интенсивностей спектральных линий. Исследуется геометрия разлета плазменного факела.

УДК: 621.373.826:533.9

PACS: 52.50.Jm, 52.25.Ps

Поступила в редакцию: 19.07.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:6, 833–835

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024