RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 7, страницы 1348–1352 (Mi qe4360)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Экранирующее действие кратера при локальном и послойном анализе в масс-спектрографе с лазерно-плазменным источником ионов

А. И. Борискин, А. С. Брюханов, Ю. А. Быковский, В. М. Еременко, И. Д. Лаптев

Завод электронных микроскопов им. 50-летия ВЛКСМ, г. Сумы

Аннотация: Показано, что материалы с различными физическими свойствами имеют различную напряженность линейного участка зависимости заряда на щели монитора масс-спектрографа от числа импульсов лазера. Это различие, а также изменение соотношения одно- и двухзарядных ионов в аналитической части масс-спектрографа обусловлены формой кратеров, образующихся при взаимодействии лазерного излучения с исследуемым веществом.

УДК: 621.384.8

PACS: 82.80.Ms, 52.50.Jm

Поступила в редакцию: 20.04.1982
Исправленный вариант: 19.07.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:7, 875–877

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024