Измерение зависимости показателя преломления активной области инжекционного лазера от концентрации носителей заряда

Представлена методика измерения зависимости показателя преломления n активной области инжекционного лазера от концентрации носителей заряда N. Получено отношение Δn/ΔN для инжекционных лазеров на основе AlGaAs/GaAs с различной толщиной активной области. Экспериментально показано, что значение Δn/ΔN для моды в квантово-размерных лазерах с толщиной активного слоя ~20 нм на порядок меньше, чем в обычных инжекционных лазерах.