Мощный квантово-размерный AlGaAs/GaAs-инжекционный лазер с широким контактом и остронаправленной диаграммой направленности

Исследованы.спектральные и пространственно-временные характеристики излучения квантово-размерных Al_xGa_1–xAs/GaAs инжекционных лазеров с широким контактом. Расходимость однолепестковой диаграммы направленности равнялась дифракционному пределу (0,5°) вблизи порога генерации и возрастала в 1,5 раза при трехкратном его превышении. Мощность излучения в импульсном режиме при токе I = 3I _пор составила 150 мВт.