RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 7, страницы 706–710 (Mi qe443)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Химическое осаждение пленок нитрида бора из газовой фазы, стимулированное импульсами УФ излучения эксимерного KrF-лазера

М. В. Угаров, В. П. Агеев, В. И. Конов

Институт общей физики РАН, г. Москва

Аннотация: Впервые реализован синтез пленок нитрида бора из газовой фазы под действием импульсов интенсивного УФ излучения KrF-лазера. Исследованы зависимости скорости осаждения от плотности лазерной энергии, температуры подложки и давления боразина. Определены оптимальные условия для достижения максимальных скоростей осаждения (около 0.1 нм за импульс). Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и электронной оже-спектроскопии установлено, что основным компонентом осаждаемых пленок является стехиометрический гексагональный нитрид бора. Обсуждаются возможности реализации лазерного осаждения пленок кубического нитрида бора.

PACS: 81.15.Gh, 42.62.Cf

Поступила в редакцию: 08.11.1994


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1995, 25:7, 679–683

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024