RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1972, номер 4(10), страницы 25–31 (Mi qe4452)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

О механизме разрушения поверхности прозрачного диэлектрика при облучении коротким световым импульсом

И. А. Ферсман, Л. Д. Хазов


Аннотация: Сообщается ряд новых экспериментальных данных о лазерном разрушении поверхностей прозрачных диэлектриков. Показано, что при облучении мощным световым импульсом длительностью 10–8–10–7 сек с поверхности эмиттируются в основном положительные ионы. Приведены зависимости тока фотоэмиссии от интенсивности потока для сапфира и стекла К8 с различной обработкой поверхности. Показаны независимость порога возникновения искры от начальной температуры поверхности и немонотонная зависимость его от длины волны падающего света. Обнаружена значительная анизотропия световой прочности поверхности тщательно полированного кальцита. Показана слабая зависимость порога искры на поверхностях стекол от химического состава последних, за исключением флинтов. Показано, что перечисленные выше и некоторые ранее обнаруженные явления удовлетворительно объясняются генерацией свободных электронов в поверхностном слое диэлектрика под влиянием сильного светового поля и нагреванием этого слоя вследствие его «металлизации» до плавления, испарения и образования плазмы над облучаемым участком («электронно-тепловая» гипотеза).

УДК: 621.378.32:539.2

PACS: 61.80.Ba, 77.84.-s

Поступила в редакцию: 30.08.1971


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1973, 2:4, 319–323


© МИАН, 2024