RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1991, том 18, номер 12, страницы 1427–1434 (Mi qe4530)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физические процессы в активных средах

Роль ступенчатых ударов второго рода в механизме накачки гелий-стронциевого рекомбинационного лазера

Е. Л. Латуш, Ю. В. Коптев, М. Ф. Сэм, Г. Д. Чеботарев, Д. А. Корогодин

Ростовский государственный университет, Ростов-на-Дону

Аннотация: Исследована роль ступенчатой перезарядки (СПЗ) и ступенчатого пеннинг-процесса (СПП) в накачке уровней ионного Не–Sr-лазера (λ = 430,5 нм). На основе проведенных измерений кинетики населенностей метастабильных состояний стронция и гелия, экспериментов по электрическому и оптическому заселению (расселению) этих состояний, а также на основе математического моделирования Не–Sr-лазера сделан вывод о незначительной роли СПЗ и преобладании рекомбинационной накачки. СПП может дать заметный вклад (до 30 %) в создание двукратных ионов стронция, рекомбинирующих в позднем послесвечении.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 52.80.Sm, 34.70.+e, 34.80.Lx

Поступила в редакцию: 27.06.1991


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1991, 21:12, 1314–1320

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024