RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 8, страницы 1690–1693 (Mi qe4587)

Краткие сообщения

Преобразование ближнего поля излучения полупроводниковых лазеров многомодовым прямоугольным световодом

A. H. Братчиков, А. Ю. Гринев, В. Г. Карнаухов, В. А. Петровский

Московский авиационный институт, Москва

Аннотация: Теоретически рассчитаны и экспериментально продемонстрированы преобразования двумерных амплитудно-фазовых распределений поля излучения одиночного и решетки инжекционных полупроводниковых лазеров, осуществляемые прямоугольным световодом, бóльших по сравнению с длиной волны излучения поперечных размеров. Рассмотрены схемы построения двумерных излучающих решеток полупроводниковых лазеров (генераторов и усилителей) с когерентным взаимодействием полей.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.60.He, 42.55.Px

Поступила в редакцию: 03.11.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:8, 1115–1117

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024