RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 9, страницы 1800–1805 (Mi qe4609)

Увеличение частоты лазерного излучения (до λ ~1 нм) с помощью трехфотонного вынужденного рассеяния

Г. А. Скоробогатов

Научно-исследовательский институт химии Ленинградского государственного университета им. А. А. Жданова

Аннотация: Предлагается использовать трехбозонное вынужденное рассеяние для осуществления до сих пор не наблюдавшихся эффектов при пересечении под определенными углами трёх лазерных лучей с длинами волн λ1–3. При λ1 = λ2 = 1–10 нм и λ3 ≥ 10 мкм в принципе достижимые плотности потоков должны позволить создать удвоитель частоты с КПД 10–10–1 %, а при λ1 = λ2 < 1 нм и λ3 ≥ 1 см – с КПД порядка 100 %.

УДК: 535.385

PACS: 42.65.Cq

Поступила в редакцию: 05.08.1982
Исправленный вариант: 16.11.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:9, 1188–1191

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024