RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 1, страницы 85–90 (Mi qe4634)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Вклад теплового механизма в отражение при вырожденном четырехволновом взаимодействии в полупроводниках

В. И. Ковалев, М. А. Мусаев, Ф. С. Файзуллов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Экспериментально исследован вклад теплового механизма нелинейности в эффективность отражения при вырожденном четырехволновом взаимодействии на длине волны 10,6 мкм в полупроводниках. Показано, что тепловой механизм нелинейности может вносить существенный вклад в отраженную волну.

УДК: 621.373.826

PACS: 42.70.Nq, 42.65.Hw, 78.20.Ci

Поступила в редакцию: 04.03.1983


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:1, 55–57

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024