RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 1, страницы 178–181 (Mi qe4653)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Краткие сообщения

Качественный анализ порогового тока в квантово-размерных полупроводниковых лазерах

П. Г. Елисеев, А. Е. Дракин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Рассмотрены особенности квантово-размерных лазерных структур плоской и нитевидной формы с точки зрения порогового тока и его температурной зависимости. Фактором, влияющим на температурную зависимость, является форма плотности состояний, претерпевающая изменения в квантово-размерном лазере. Обсуждены условия, благоприятствующие ослаблению влияния температуры, а также особенности захвата носителей и оптического ограничения в лазере.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 29.04.1983


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:1, 119–121

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024