В. Л. Бойченко, И. И. Засавицкий, Ю. В. Косичкин, А. П. Тарасевич, В. Г. Тункин, А. П. Шотов, “Пикосекундный параметрический генератор света с усилением излучения перестраиваемого полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 11:1 (1984), 203

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Краткие сообщения

Пикосекундный параметрический генератор света с усилением излучения перестраиваемого полупроводникового лазера

В. Л. Бойченко^ab, И. И. Засавицкий^ab, Ю. В. Косичкин^ab, А. П. Тарасевич^ab, В. Г. Тункин^ab, А. П. Шотов^ab

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
^b Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Впервые реализован пикосекундный параметрический генератор света на кристалле LiNbO₃ с усилением перестраиваемого вблизи 4 мкм затравочного излучения от полупроводникового инжекционного лазера.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Px, 42.60.Fc, 42.65.Yj, 42.70.Mp

Поступила в редакцию: 28.07.1983