RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 2, страницы 282–287 (Mi qe4692)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Параметры резонансов насыщенного поглощения молекулы 192OsO4 в области 28,46 ТГц при низком давлении

Е. Н. Базаров, Г. А. Герасимов, В. П. Губин, Н. И. Старостин, В. В. Фомин

Институт радиотехники и электроники АН СССР, Москва

Аннотация: С помощью волноводного CO2-лазера высокого давления измерены ударное уширение Δνp0, интенсивность насыщения Iн и контраст резонансов насыщенного поглощения 192OsO4 в области 28,46 ТГц. Приведены значения указанных параметров в диапазоне давлений p = 0,5–10 мкм рт. ст. как для традиционного резонанса на переходе из возбужденного колебательно-вращательного состояния, так и для более интенсивного резонанса, соответствующего переходу A22P (46) из основного состояния. Параметры Δνp0 и Iн для обоих резонансов в изученной области давлений примерно одинаковы и при p < 1 мкм рт. ст. равны: Δνp0 (p) = (30 ± 5)p кГц, Iн(p) = (15 ± 3)pm мкВт/см 2, где 1 < m < 2. Минимальная относительная ширина резонансов при измерениях составила 5 · 10–10. Показано, что нелинейный характер зависимостей Δνr0(p) и Iн(p) согласуется с представлениями о селективном упругом рассеянии молекул на малые углы при соударениях. Дана оценка некоторых частотных характеристик CO2/OsO4-лазера при низком давлении паров OsO4 во внешней ячейке.

УДК: 621.373.826

PACS: 42.50.Gy, 42.62.Eh, 42.55.Lt, 42.60.Lh, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 23.03.1983


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:2, 195–198

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024