Нелинейное поглощение хаотически пульсирующего излучения СO2-лазера в узкозонных полупроводниках

Экспериментально и теоретически исследовано нелинейное поглощение в In As при воздействий на него импульсов излучения СO₂-лазера, работающего в режиме как хаотических пульсаций, так и синхронизации мод. Показано, что особенности в поведении пропускания излучения образцов из In As в этих режимах объясняются нестационарностью нелинейного поглощения.