RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1972, номер 6(12), страницы 74–82 (Mi qe4718)

Оптические и электрические свойства легированных полупроводников в сильном электромагнитном поле

А. С. Александров, В. Ф. Елесин, П. Л. Невский


Аннотация: Изучено влияние примесного рассеяния на поглощение слабой электромагнитной волны в полупроводниках с неравновесной электронной населенностью. На основе последовательного теоретического рассмотрения учтена роль непрямых переходов в усилении и поглощении слабого поля. Показано, что из-за непрямых переходов (без сохранения импульса) максимум усиления смещается в область меньших частот. Найдена форма линии поглощения слабого поля при наличии сильной электромагнитной волны с частотой в области собственного поглощения. Показано, что примесное рассеяние уменьшает область прозрачности и сглаживает особенности поглощения, связанные со щелью в энергетическом спектре, возникающей под действием сильной волны. Вычислена электропроводность полупроводника в состоянии насыщения. Показано, что при определенной интенсивности сильной волны электропроводность обращается в нуль, т. е. полупроводник переходит в диэлектрическую фазу.

УДК: 621.315.592

PACS: 78.20.Ci, 72.20.-i, 72.10.Fk

Поступила в редакцию: 25.10.1971


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1973, 2:6, 547–551


© МИАН, 2024