На пути к фотоионной лазерной эпитаксии: исследование чистоты и условий зарождения кристаллических пленок индия

Исследованы различные конструкции и режимы работы систем экстракции ионов в методе селективной ступенчатой лазерной фотоионизации атомов. Проведено измерение фактора разделения веществ за один цикл. В случае специального внесения ряда примесей получен фактор разделения ≥10³. При осаждении из ионного пучка In⁺ наблюдалось снижение температуры кристаллизации до 300 K.